近日比亚迪对外宣布已投入巨资布局半导体材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪旗下的电动车将全面搭载SiC电控。

12月10日，比亚迪在IGBT4.0技术发布会上，对外宣布已投入巨资布局第三代半导体材料SiC，并将整合材料（高纯碳化硅粉）、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业链，目的在于降低SiC器件的制造成本，加快其在电动车领域的应用。

同时，比亚迪方面表示公司已经成功研发了SiCMOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升10%。

何为IGBT？IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种大功率的电力电子器件，主要用于变频器逆变和其他逆变电路，将直流电压逆变成频率可调的交流电，俗称电力电子装置的“CPU”。

据了解，IGBT的成本占整车成本的5%左右。对于电动车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。

实地走访比亚迪宁波IGBT生产车间，新浪财经得知目前比亚迪IGBT模块生产周期为45天，产能为每月5万。据比亚迪第六事业部总经理陈刚介绍，公司目前在此领域已投入超过亿元，于2019年6月扩张产能至10万每月。